SK海力士将在ISSCC 2026上展示14.4Gbps的LPDDR6内存，三星则推出12.8Gbps版本。新标准引入行激活计数追踪等安全特性，并支持更完善的纠错能力。
IT之家 2 月 13 日消息，韩国两大存储厂商 SK 海力士与三星电子计划在 2026 年国际固态电路会议（ISSCC 2026）上展示下一代 LPDDR6 低功耗内存方案。
根据已公布信息，SK 海力士将推出 16Gb 容量的 LPDDR6 模组，单引脚传输速率达 14.4Gbps；三星则将展示 16Gb、12.8Gbps 的 LPDDR6 产品，较其在 CES 2026 上公布的 10.7Gbps 版本进一步提升。
ISSCC 2026 前瞻：SK 海力士将展示 14.4Gbps LPDDR6 内存，三星升级至 12.8Gbps
IT之家注：ISSCC 2026 将于 2 月 15 日至 19 日在美国旧金山举行。
SK 海力士的 LPDDR6 产品采用 1c（1γ）制程节点制造，为公司第六代 10nm DRAM 工艺。
其 14.4Gbps 的速率对应 JEDEC 规范中 LPDDR6 的最高速档，意味着 SK 海力士在标准频率范围内已接近“跑满”，并引发外界对未来可能出现更高频 LPDDR6X 等超频版本的联想。
ISSCC 2026 前瞻：SK 海力士将展示 14.4Gbps LPDDR6 内存，三星升级至 12.8Gbps
相比之下，三星 16Gb LPDDR6 速率为 12.8Gbps。三星本代产品采用 12nm 制程，略次于 SK 海力士的 10nm 级别，但三星强调其新一代 LPDDR6 相较前代 LPDDR5X 可实现 21% 的能效提升。此外，三星 LPDDR6 使用 NRZ 信号进行 I/O 传输，并采用 12DQ 子通道架构。
除了速率与制程差异外，LPDDR6 标准本身也引入了多项关键特性。其中最受关注的是“行激活计数追踪”（row activation count tracking）机制，为 DRAM 标准首次引入该能力，可由控制器与内存芯片共同监测行激活次数，以更直接地对抗 RowHammer 攻击，而不再仅依赖以刷新为主的缓解手段。
